【鼓泡器技术领域】

       本发明专利涉及到半导体材料外延性机器设备行业，特别是在涉及到一种鼓泡器。

  【情况技术性】

       1、单晶硅外延性，是在打磨抛光硅单晶表层根据有机化学液相堆积的方式再生长发育一层微米到几十微米单晶硅层，硅外延性原材料是集成电路芯片和分立器件中关键的基本原材料。硅外延片可以出示抛光片所沒有的电主要参数，除去很多在晶体材料和生产加工成衬底原材料全过程中产生的表层和近表层缺点。单晶硅外延片关键用于CMOS时序逻辑电路、DRAM和分立器件生产制造。外延性技术性是处理大直徑单晶硅片表层缺点的一种关键方式。

       2、外延性炉是硅外延性的主要设备，外延性炉的特性立即危害硅外延片的品质。鼓泡器是单晶硅外延性机器设备中关键的汽体出示构件。鼓泡器一般由一个管本体10、一个氡气供支气管13、废液管14构成。管身本体1内装车三氯氢硅液體，上述氡气供支气管13插进上述管本体10的三氯氢硅液體中，以将H2通入管本体10中产生出泡，出泡后的三氯氢硅饱和状态汽体根据排汽管16排出来用于外延性生长发育。上述废液管14用于将三氯氢硅的废液排出来，上述废液管14具备阀门15，在不用出液时，上述阀门15关掉，在必须将废液排出来时，上述阀门15开启。

  目前的鼓泡器存有以下难题:

       1、沒有充分考虑因供氡气供支气管13阻塞而造成气路不稳造成 外延片损毁的状况，机器设备在外延性全过程中，若气路不稳定，则促使做出去的外延片薄厚均一性不太好、电阻不合格。上述鼓泡器的每个汽体只有一个进风口，在历经一段时间的应用后，气路小编口易出現阻塞，上述供支气管易堵的地区如图所示1中虚线条所标识，因此鼓泡器的使用期缩短了。

       2、目前的鼓泡器早已很全方位的考虑到来到安全隐患，但存在的问题，鼓泡器仅有一个废液管14，用于排出来三氯氢硅，上述废液管14上的阀门15因长期性遭受废液的浸蚀易毁坏，进而存有安全风险。

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